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전기저항 (옴의법칙)보고서

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작성일 19-10-20 12:08

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전기저항,(옴의법칙)보고서,공학기술,레포트

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전기저항 (옴의법칙)보고서
전기저항(옴의법칙, 다이오드 特性)

1. 이 론
1) 옴의 법칙 (ohm`s law)
그림 1에 있어서 전류 는 전압 에 비례하여 흐른다. 즉, 전압 와 전류 는 비례 관계에 있으며 비례 정수를 이라고 하면 의 관계가 성립한다. 이들 P원자는 결정에 얽매어 있기 때문에 전류로서 나타내지 못한다. 정상적인 P의 원자는 5개의 원자가 전자를 가지고 있으며, 이중 4개만 결정 구성에 쓰이고 1개의 여분의 전자가 남게 되어 결정에 전위를 걸어 주면 비교적 자유로이 이동하게 된다된다. 저항 은 저항선의 종류에 따라 달라지지만, 전압 가 일정하면 이 클수록 전류 는 작아지며, 은 전류를 제한하는 의미로 전기저항 또는 간단히 저항이라고 한다. 이와 같이 5족의 불순물이 첨가된 반도체를 n형 반도체라 하며 이러한 결정에서 전류는 음전하의 이동으로 구성된다된다. 그림 1에 나타낸 바와 같이 전압, 전류, 저항을 각각 , , 이라 하면

이 된다된다. 이 관계를 옴의 법칙 (ohm`s law)이라 한다.…(투비컨티뉴드 )

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레포트/공학기술
전기저항 (옴의법칙)보고서
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설명




다. 그리하여 그 결정은 도체가 되며 첨가된 불순물은 전기저항을 상당히 감소시키는 역할을 하고 있다 결정 내의 P원자는 각각 1개의 전자를 잃어 양이온이 된다된다. 이와 반면에 Ga(갈륨)과 같은 3족 원소를 첨가하여 만들어진 결정은 전기적으로 아주 다른 特性을 갖게 될 것이다. 특히 P(인)이나 기타 5족 원소의 미량을 순수한Ge의 용융상태에 첨가시켜 천천히 냉각시키면 결정에는 P원자가 산재하게 된다된다.

옴의 법칙

반면에 반도체를 이용한 다이오드나 transistor(트랜지스터) 의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라서 달라진다.
2) 다이오드 特性
Ge(게르마늄)과 Si(실리콘)은 4족 원소로서 이들 원소의 각 원자는 이웃 4원자의 4개의 전자를 공유하는 결정상태에 있다 이들 전자는 결합력이 강해 순수한 Ge나 Si의 결정은 아주 큰 저항을 갖고 있다 이 결정에 불순물이 들어가면 일반적으로 저항이 감소한다.
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